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SK海力士量产全球首个128层4D闪存颗粒

SK海力士近日发布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,并会在今年下半年批量出货,此时距离别年量产96层4D闪存只以前了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成跨越3600亿个闪存单元,每一个可存储3个比特位,为此SK海力士利用了一系列立异技巧,比如超同类垂直蚀刻技巧、高靠得住性多层薄膜单元成型技巧、超快低功耗电路技巧等。

新的128层4D闪存单颗容量1TB,是业内存储密度最高的TLC闪存,与SK海力士在内的多家闪存厂商所研发出的QLC闪存存储密度相同,每颗晶圆可临盆的比特容量也比96层堆叠增添了40%。并且新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率,可用于高机能、低功耗的手机存储、企业级SSD。

所谓4D闪存是指单芯片四层架构设计,结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技巧,使用这种架构设计,SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时,虽然层数增添了三分之一,然则制造工艺步骤削减了5%,整体投资也比之前削减了60%。

编辑不雅点:

SK海力士新款闪存芯片的问世阐明我们将会在今岁尾至明年头?年月看到许多2TB或更大年夜容量的TLC颗粒固态硬盘产品呈现在破费级市场,届时512GB、1TB容量的老款产品价格势必会进一步下降,固态硬盘将更快地压缩机器硬盘的生计情况。

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